【康沃真空網】二十二、真空環境制備納米材料
　　2．濺射沉積
　　濺射鍍膜技術在納米半導體薄膜的制備領域已經得到廣泛應用。較為典型的濺射技術有直流磁控濺射、射頻磁控濺射、離子束濺射以及電子回旋共振等離子體增加濺射等技術。已利用磁控濺射技術制備出不同調制波長的SiC/W納米多層膜，制備了CaAs/S1Q顆粒鑲嵌薄膜，利用射頻磁控濺射技術成功地制備了含納米顆粒的二氧化硅薄膜，以及鑲嵌于介質中的Ⅲ～V族納米半導體薄膜。
　　3．外延沉積
　　外延技術是一種制備納米半導體薄膜的新技術，采用該技術可以制備出結晶取向與襯底完全一致而且品格結構完整的納米半導體單晶薄膜。典型外延技術有氣相外延(VPE)、液相外延(LPE)和分子束外延.，半導體薄膜的制備中日益受到關注。