放射性同位素檢漏法可用于成批生產的小型密封器件(如電子管、半導體器件等)的檢漏。使用的放射性同位素一般為氪一85(KrB5)，其半衰期為10.3年，放射線中99%是p射線，0.7%是y-射線。

檢漏步驟：先將被檢器件清洗、烘干，而后放在一個密封的試驗箱內。試驗箱抽成真空(102Pa即可)后，充人高壓的Kr85氣體，使器件在高壓力的Kt85氣氛中浸泡。浸泡的時間視所要求檢出的z*小漏率值而定(從幾分鐘到數百小時不等)。浸泡結束后，從試驗箱中抽除KT85，取出箱內的器件，清除這些器件表面上殘留的Kr85。然后用閃爍計數器在器件外面進行檢測，根據測得的y-射線強度、浸泡時間、器件的容積及充入試驗箱內的Kr85氣體的壓力可計算出漏孔的大小。

此方法的檢漏靈敏度為10^-l0Pa.L/s。應用比方法時應特別注意放射性物質的處理和防護。