文獻[199]介紹了一種用于四極質譜計的高產額離子源（圖12-4）。這種離子源的電離區較大，而且在這較大的區域內都具有中等強度的引出電場，該引出場對離子還起會聚作用，因此離子源的離子產額較高。

又由于離子源的電離室是由許多片狀圓環電極組成的，這就大大減小了由于電極表面污染所引起的性能變化。這種離子源的離子能量分散不超過離子引出電壓的0.5%，因而對儀器分辨本領影響較小。

圖12-5給出低能量高束流的新型電子碰撞源。采用大面積氧化物陰極作為電子發射體，可發射出0.5A的電子流。氣體的電離在雙層屏蔽的“空心陰極”中發生。皮爾斯透鏡和陽極間電壓為離子引出電壓。為了增加低離子能量的離子束流，可先用皮爾斯透鏡電壓將離子加速，然后再減至較低能量。離子源的離子能量可在數電子伏至數千電子伏之間調節，在25V時，離子束密度可達到SFt A/cnr2。在z*佳條件下，離子源效率（引出的離子流和發射電子流之比）約為10^-6，離子能量分散小于1eV。
 

圖12-6給出不用準直磁場的改進型正交束電子碰撞離子源。這種離子源的電子束具有較好的聚焦性能。由于電子碰撞源的離子引出效率和穩定性主要取決于離子引出極與電子束間的距離和引出場形式，所以在離子源引出縫一側采用引出電極來代替電離室，從而提高離子引出效率和穩定性。在適當的幾何尺寸和電極電壓下，當離子源內壓力為6.5×10^- 2Pa（氬）時，進入分析器的離子流可達到7×10^-7A，離子源的離子能量分散小于4eV。