電子碰撞氣體分子使其電離產生離子。具有一定能量的離子(約lOOeV)打到規壁或收集極時，這些離子被束縛在固體表面或被埋入表層下面而被清除，束縛得z*牢的分子要經過300℃的烘烤才能再釋放出來。如果規管內壁存在濺射的金屬薄膜，則對氦氣也有一定的抽氣作用。
　　
　　電清除抽氣速率SE的大小與電子流、各極電位、有無磁場、規壁溫度等因素有關。若電子流增加，離子流也呈線性增加，所以電清除抽氣速率SE與電子流有近似的線性關系。柵極電位變化將改變電離概率和離子能量，因此電清除抽氣速率SE也隨之變化(圖11-76)。
　　
　　在冷磁控規中，因有磁場存在，電離效率更高，所以在冷磁控規中電清除作用也更大。
　　
　　電離規規壁的溫度和電位對電清除抽速有較大影響。當規壁溫度下降時，會使電清除抽速增大和被束縛分子的再釋放速率降低。當規壁處于柵極電位時的電清除抽速是規壁電位為陰極電位時的1/5。
　　
　　為了降低電清除作用，需降低燈絲發射的電子流和柵極電壓。例如在B-A規中，Ie=10mA,Se=0.03L/s,Ie=100μA，Se=3*10^-4L/S。
　　
　　當收集極和規壁已束縛了一個單分子層時，清除作用就逐漸衰減。
　　
　　電離規對氮的清除作用較大，這是由于除上述的電離清除效應外，還由于電子碰撞氮分子可使氮處于激發態，變成了活性分子（或原子）而產生化學清除效應。