極高真空規:抑制規的簡介
發布時間:2019-05-07 19:11:19 | 人感興趣 | 評分:3 | 收藏:
抑制規較B-A規改進之處是把離子收集極移出了電離區(即移出柵極)。為了增大收集離子的效率,把絲狀收集極改為圓片狀,并用屏蔽盒將它包圍起來,在屏蔽盒內還增加了一個抑制極,從而組成了一個新的離子收集系統。屏蔽盒的作用有如下幾個方面:
①屏蔽抑制極,使其不受軟X射線的直接照射;
②與柵極一起組成靜電透鏡;對正離子起加速與聚焦作用;
③阻擋大部分軟X射線,使其不能直接照射到離子收集極;
④對離子收集極形成靜電屏蔽,防止外界干擾,有利于小電流測量。
抑制極上加有負電壓,在離子收集極前面形成拒斥場,對離子收集極上發射的X射線光電子起抑制作用,使它返回收集極而不構成剩余電流。同樣,它也能抑制屏蔽極上發射的X射線光電子,使其返回屏蔽極而不能抵達離子收集極。
基于上述改進,抑制規保持了與B-A規相近的規管常數(0.12/Pa)。又由于軟X射線產生的光電子被拒斥場所抑制,因此大大延伸了測量下限。在1962年發明此規時,認為已不存在X射線效應的限制了,但后來發現,還存在著反射X射線,即部分反射的軟X射線打中抑制極,使抑制極發射光電子,這些光電子在電場作用下,加速到達離子收集極而形成一個負的剩余電流。再加上電子碰撞解吸效應的限制,故抑制規尚不能測量低于10^ -10Pa的壓力。
抑制規的工作參數:陰極電壓Vt=25V,發射電流Ie=2mA,柵極電壓Vg=200V,抑制極電壓Vs= -450V,屏蔽極處于地電位,離子收集極經過靜電計接地。規管常數K=0.12/Pa。
圖11-51是抑制規的抑制特性曲線,被抑制的光電流為1.5×10 ^-11A。
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