采用離子束濺射技術制備銅納米顆粒薄膜。用真空泵將真空室壓力抽至12× 10  -3Pa然后將旋轉靶臺的某一靶面轉為水平，以便避開主離子源的轟擊。將高純氬通入主離子源，待放電正常后將離子束引出。打開擋板，離子束轟擊旋轉著的基片架上的基片， 1進行濺射清洗。清洗時間為6min，真空室壓力為 2×10 - 2 Pa，然后關閉主源，合上擋板，再打開副離子源。待不同的周期數便可得到不同厚度的薄膜。

鍍制的薄膜樣品為Cu/SiO2。為了使電鏡樣品的組織結構與具有反常光吸收特性的光學樣品完全一致，都先在基片上鍍制石英膜層，然后再鍍制銅膜，以便于透射電鏡觀測時取樣。共鍍了兩種樣品。各層鍍制的時間分別為：1號樣品SiO210min，Cu30s;2號樣品SiO210min，Cu40s。