真空蒸發是制作納米半導體薄膜z*一般的物理方法。該法通常將真空室的極限真空抽到優于10  -2Pa，然后采用加熱的方法將被蒸發物質蒸發后沉積在光滑的基片上，得到相應的納米半導體薄膜。真空蒸發沉積具有材料純度高、結晶度妤、粒度可控的特點，但技術條件高。目前，直熱式的電阻加熱蒸發源的采用已不多見，加熱方式的不斷改進是近年來真空蒸發法得以發展和完善的主要標志，主要的蒸發源有：電阻加熱蒸發源、高頻感應加熱蒸發源、輻射加熱蒸發源、離子束加熱蒸發源等。

其中又以離子束加熱蒸發源較具代表性。采用離子束集中轟擊膜料的一部分并將其加熱的方法具有以下優點：能量可以高度集中，使得膜料的局部表面獲得很高的溫度；能夠準確而方便地控制蒸發溫度有較大的溫度調節范圍。而電阻加熱蒸發源則不具備這樣的特點。z*近，Raoul Weil等人采用真空蒸發技術制備了光學質量（即具有較大的非線性光學特性）的ZnCdTe化合物納米薄膜。