納米半導體薄膜的制備技術很多。理論上任何能夠制備多晶或單晶半導體薄膜的技術都可以用于納米半導體薄膜的制備，但對相應的制備技術提出了更為嚴格的要求：①表面潔凈;②晶粒形狀及粒徑、粒度分布可控，防止粒子團聚，能更好地控制膜厚;③有較好的熱穩定性;④易于收集，產率高。以晶粒形狀及粒徑、粒度分布的控制為例，常通過控制襯底生長溫度或成膜后退火溫度與時間來實現。當然，真空蒸發、濺射、化學氣相沉積、外延沉積、激光沉積及自組裝與分子自組裝等薄膜制備技術的提出已經為納米半導體薄膜的研究開辟了廣闊的領域。