真空系統烘烤運行涉及三部分的內容；真空抽氣系統運行、真空室本體溫度及熱變形測量及其水系統閥門控制、水循環系統及電加熱器的運行控制及測量。各部分有相對的獨立性，但也有關聯性。s*先烘烤水系統的升溫、恒溫、降溫須由真空系統的測量結果來發出指令，真空室的變形監測結果對烘烤水系統運行過程中的調節提出要求。         次進行真空室烘烤，為了保證真空系統和烘烤水系統的運行安全，確定真空室的烘烤溫度≤100℃。真空室從室溫到100℃的范圍內，溫升速率≤2℃/h，真空室z*高升溫為100℃，保溫時間為72h。然后降溫，降溫速率≤2℃／h。溫度降至40℃時烘烤終止，關斷供水系統，然后使真空室溫度自然降至室溫。由于真空室內多極場線圈與真空室本體的熱膨脹不同步，因此，升溫時真空室和多極場線圈同時供水，但當多極場線圈溫度升至85℃時，將其供水管路關閉，真空室外壁繼續供水，利用熱輻射和熱傳導達到平衡。        抽氣系統將真空室約經6h時間內從大氣抽至3.7x10^-4Pa后，烘烤系統開始投入運行。隨著水溫度的逐漸升高，吸附在真空室內壁的水分和其它氣體逐漸脫附，真空度緩慢變壞。z*高升至2.7×10^-3Pa，真空度降低了近一個量級。隨著真空室烘烤恒溫階段的持續和逐漸降溫，以及低溫泵的運行及輝光放電清洗，真空度開始逐漸變好。抽氣機組工作330h后，能獲得1.9×10^-5Pa真空度。        在z*后的輝光放電清洗時，關斷8套分子泵中的7套，送氣開始進行輝光放電清洗。在真空烘烤運行期間，采用四極質譜計對H₂0、N₂ 、0₂等殘余氣體質譜峰進行常規監測。在監測過程中，根據N₂、0₂譜峰有無異常變化來判斷真空室某些部位是否出有漏氣。特別是在真空室烘烤降溫時，收縮變形有可能導致真空室的密封部位漏氣。因此當真空室本體溫度降至室溫后還須進行仔細檢漏，對檢出的漏氣部位進行集中處理。主要是采用將漏氣部位的緊固螺栓進一步緊固的方法來實現，用四極質譜計與氦質譜檢漏儀相結合的方法對真空室進行總體檢。氦質譜檢漏儀達到的z*小可檢漏氣率為9×10 ^-10Pa· m³/s。        在運行的末期進行近10h的H₂及H₂+He的直流輝光放電清洗。真空室內安裝了三個原ASDEX的直流輝光電極，其陽極為Φ25×450的不銹鋼桿，采用專門研制的直流輝光電源和送氣系統。輝光放電清洗的典型工作參數為：起輝壓力(5～7)×10^-1pa，起輝電壓1100V，工作電壓為500V，電流為2.5A。在真空系統停止運行后，關斷8套分子泵和2套低溫泵抽氣機組與真空室相連的閘閥，采用靜態升壓法，得到真空室的總漏氣率為9.3×10^-5pa·m³/s。