(1)適用范圍
　　
　　本標準適用于壓力在10-4Pa—10-3Pa范圍的真空離子鍍膜設備（以下簡稱設備），具體包括如下類型：多弧離子鍍、電弧放電型真空離子鍍、空心陰極離子鍍(HCD)、射頻離子鍍(RFIP)、直流放電二極型(DCIP)、多陰極型、活性反應蒸發鍍(ARE)、增強型ARE、低壓等離子體離子鍍( LFPD)、電場蒸發離子鍍、感應加熱離子鍍、簇團離子束鍍等。
　　
　　(2)設備主要技術參數
　　
　　設備主要技術參數應符合表10-30規定


　　
　　(3)結構要求
　　
　　①設備中的真空管道、靜態密封零部件（法蘭、密封圈等）的結構型式，應符合GB/T 6070的規定。
　　
　　②在低真空和高真空管道上及真空鍍膜室上應安裝真空測量規管，分別測量各部位的真空度。當發現電場對測量造成干擾時，應在測量口處安裝電場屏蔽裝置。
　　
　　③如果設備使用的主泵為擴散泵時，應在泵的進氣口一側裝設油蒸氣捕集阱。
　　
　　④設備的鍍膜室應設有觀察窗，觀察窗上應設有擋板裝置。觀察窗應能觀察到沉積源的工作情況以及其他關鍵部位。
　　
　　⑤離子鍍沉積源的設計應盡可能提高鍍膜過程中的離化率，提高鍍膜材料的利用率，合理匹配沉積源的功率，合理布置沉積源在真空室體的位置。
　　
　　⑥合理布置加熱裝置，一般加熱器結構布局應使被鍍工件溫升均勻一致。
　　
　　⑦工件架應與真空室體絕緣，工件架的設計應使工件膜層均勻。
　　
　　⑧離子鍍膜設備一般應具有工件負偏壓和離子轟擊電源，離子轟擊電源應具有抑制非正常放電裝置，維持工作穩定。
　　
　　⑨真空室接不同電位的各部分間的絕緣電阻值的大小，均按GB／T 11164-99中相關規定。
　　
　　(4)測試方法
　　
　　極限壓力、抽氣時間、升壓率的測試方法分別同“2．真空鍍膜設備通用條件”的相應參數的測試方法。