化學氣相沉積是以化學反應方式制作薄膜。其原理是將含有制膜材料的反應氣體通到基片上，在基片上發生化學反應形成薄膜，對CVD薄膜生成過程，可以定性地歸結為反應氣體通到基片上后，反應氣體分子被基片表面吸附，并在基片表面上產生化學反應，形成核，然后反應生成物脫離基片表面，并沿基片表面不斷擴散形成薄膜。CVD沉積薄膜速率較PVD高，PVD通常在25μm/h—250μm/h范圍，而CVD速率為25μm/h～1500 μm/h。其制膜材料包括除堿及堿土類以外的金屬(Ag、Au困難)，碳化物、氧化物、氮化物、硫化物、硒化物、碲化物以及金屬化合物及合金。CVD可用于制作表面保護膜、裝飾膜、精制材料以及半導體和電子材料等。