化學氣相沉積裝置主要包含四部分，即反應室、加熱系統、供反應氣體系統、反應后氣體處理系統。
　　
　　反應室設計時s*要問題是保證薄膜的均勻性。因化學反應在基片上發生，因而還需注意：①應為反應提供充足的氣體；②抑制氣相中發生反應；③使反應后生成的氣體迅速離升。從結構上來講，反應室有水平型、垂直型、水平與垂直結合的圓筒型。不同結構的反應室見表10-15。


　　
　　CVD裝置的加熱系統為基片上進行化學反應提供必要的熱量。因而，只需加熱基片，環境不需要加熱。通常為避免氣相中產生反應物質，基片溫度應高于環境氣體溫度。基片加熱方式有電阻式加熱、高頻感應加熱、紅外線及激光加熱等。各種加熱方式及應用見表10-16。不同薄膜成膜溫區見表10-17。



　　
　　CVD裝置供反應氣體由原料氣體、氧化劑氣體、還原劑氣體以及將反應氣體輸送至反應室中的載帶氣體組成。原料氣體可由氣相、液相及固相三種形態提供。氣體可直接送入反應室中。氣體流量控制可使用質量流量計或針閥來實現。
　　
　　CVD反應后的余氣大多數都是腐蝕性、有毒性氣體。一般需通過冷阱來冷凝或經洗滌器水洗和中和后排走。