①沉積速率大。由于采用高速磁控電極，可以得到很大的離子流，大大地提高了濺射速率和沉積速率。與其它濺射方式相比，磁控濺射生產能力高，產量高，廣泛應用于工業生產中。表10-10給出了平面磁控濺射的沉積速率。
　　
　　②功率效率高。磁控靶電壓一般在200V～1000V，典型值為600V。從圖10-17可見此電壓剛好處在功率效率z*高范圍內。 　　
　　③濺射能量低。磁控靶施加的電壓低，等離子體被磁場約束在陰級附近，這樣可抑制能量較高的帶電粒子入射到基片上。
　　
　　④基片溫度低。放電時產生的電子可以通過陽極導走，而不必通過接地的基片支架，可以大大減少電子轟擊基片，因而基片溫度不高。對塑料基底鍍膜非常有利。
　　
　　⑤靶刻蝕不均勻。由于靶磁場不均勻，使其局部位置刻蝕速率較大，使靶材利用率僅為20%—30%。為提高靶材利用率，可采取一定措施改變磁場分布，還可使磁鐵在陰極中移動來提高靶材利用率。
　　
　　⑥制復合靶。為了鍍合金膜可制作復合靶。圖10-18給出了復合靶示意圖。已利用這種靶成功制取了Ta-Ti合金、(Tb-Dy) -Fe以及Gb-Co合金膜，其中以扇形結構效果z*好。
　　
　　按薄膜功能分類，濺射膜可為分電氣、磁學、光學、機械、化學和裝飾等幾大類，見表10-11。