圓形平面磁控濺射靶的結構如圖10-15所示。圓形平面靶采用螺釘或釬焊方式緊緊固定在由永磁體（包括環形磁鐵和中心磁柱）、水冷套和靶外殼等零件組成的陰極體上。通常，濺射靶接500V—600V負電位，真空室接地，基片放置在濺射靶的對面，接地、懸浮或加偏壓。因此，構成了基本上是均勻的靜電場。
　　
　　圖10-15中的水套作用是控制靶溫以保證濺射靶處于合適的冷卻狀態。溫度過高將引起靶材熔化；溫度過低則導致濺射速率下降。
　　
　　圖10-15中屏蔽罩的設置，是為了防止非靶材零件的濺射，提高薄膜純度，并且該屏蔽罩接地，還能起吸收低能電子的輔助陽極的作用。屏蔽罩的位置，根據屏蔽罩與陰極體之間的間隙來確定。
　　
　　磁控濺射的磁場是由磁路結構和磁體的剩磁（或電磁線圈的安匝數）所決定的。z*終表現為濺射靶表面的磁感應強度B的大小及分布。通常，圓形平面磁控濺射靶表面磁感應強度的平行分量B為0.02T—0.05T，其較好值為0.03T左右。因此，無論磁路如何布置，磁體如何選材，都必須保證上述的B要求，磁場B可以通過測試或計算掌握其大小及分布規律。