在半導體產業為主要應用對象的干式泵，會在許多抽氣工藝過程中出現一些顆粒物，一般說來，在干式真空泵中出現顆粒物有下列三種情況：
　　①當泵內壓力增高時引起氣固變相過程的發生；②在泵內產生反應氣體的生成物；③抽氣過程混入的顆粒物。防止顆粒物在泵中形成的z*好措施有：①適當提高泵溫。物質的升華、凝固是壓力和溫度的函數，（且函數關系隨物質的不同而不同），所以調整泵的溫度可避免氣固變相過程的發生。例如：在A1刻蝕過程中，反應生成物為AIC13，蒸氣壓曲線表明：溫度>80℃時，AIC13就揮發為氣態，如果能控制泵溫，AIC13的沉積就可避免。
　　②降低參加化學反應氣體的濃度。單位時間內氣體反應生成物（顆粒）的數量可用反應率來表示，而反應率和反應氣體濃度成指數關系，所以在生產工藝中充入惰性氣體，減少反應氣體濃度是降低生成顆粒物的z*有效的方法。通常這類泵壓縮氣體之前就通人惰性氣體，避免固體顆粒物的產生。此外，引入惰性氣體使反應氣體濃度降低到低于著火極限，也可以防止CVD(化學氣相沉積)過程中出現爆炸事故。
　　③增加抽氣通道中氣流速度。為防止處于懸浮狀態的固體顆粒物沉積，使氣體的流動速度大于顆粒沉積的臨界速度（即z*大陣落速度），在泵內及早充人適量的氣體，使氣流速率大于顆粒沉積臨界速度，保證顆粒物實現氣動輸送。但是充入氣量不能過大，過大的氣量將影響泵的極限壓力，在不同的抽氣系統中，通過實驗確定z*佳充入氣量。

　　由于在半導體工業使用的氣體和反應物都要通過干泵排出，這些物質與空氣和水蒸氣混合，往往能形成氧化物，有些能自燃并可能引起爆炸，因此在半導體工業排氣工藝中，使用的干式真空泵要經過這些惡劣環境的考驗，這些在設計和選擇使用干式真空泵時要引起足夠的重視。