【正文】是工作物表面加上蝕刻劑(Etchant)此蝕刻劑會與工作產生腐蝕化學反應，經由此化學反應而除去工作物表面材料。如果蝕刻劑為液體，則稱為濕式蝕刻，而蝕刻齊為氣體則稱為干式蝕刻。    以往的蝕刻主要是用液體蝕刻劑的濕式蝕刻，而近年來，利用氣體電漿等進行干式蝕刻的技術則漸廣被采用。特別是在硅晶板上微米以下（Submicron）精度加工及微米（μm）級尺寸大小的大規模集成電路以干式蝕刻加工為主。

  濕式蝕刻在巨觀上，是工作物不改變其化學性質，而溶于蝕刻劑中的反應。但在微觀上則是含有一個或多個化學反應的過程，例如：氧化、還原反應、復合物生成反應、氣體反應等。通常在濕式蝕刻是以氧化、還原反應為主。當工作物接觸強酸、強堿等蝕刻時，工作物表面的結晶組織會產生規則的電位差，而形成很多的陰極及陽極區域，不需外部電場，即可產生均勻的電解反應，而進行蝕刻。而其反應過程中的溫度和時間控制極為重要。

    在干式蝕中，主要利用化學反應而產生蝕刻的是電漿蝕刻。電漿蝕刻是在低壓中導入氣體，引起輝光放電，產生低溫、低壓的離子電漿，應用其中受激狀反反應，形成揮發性物質，排氣而進行蝕刻。