卷繞式真空鍍膜機能夠沉積的鍍膜層厚度范圍為0.01-0.2μm,可以在這個范圍內選擇,有的還可以鍍多層膜,滿足多種需要。日本專利提出沉積兩種不同鍍膜材料的卷繞式蒸鍍裝置。該裝置的真空室(6)分為上室(7),左下室(8)和右下室(9)。蒸鍍時,兩組蒸發源(19、23)蒸發的鍍膜材料(21、25)分別沉積在塑料薄膜(11)上,在塑料薄膜沒有蒸鍍的一側,裝上輝光放電發生器(、16)。發生器產生的輝光放電氣體能防止塑料薄膜起皺。使用這套裝置可以在極薄的塑料薄膜上鍍上無折皺的多層膜,用于制磁帶和薄膜太陽能電池等。該裝置示意圖見圖1
圖1改進的卷繞式蒸鍍裝置
近年來,高速低溫濺射法發展很快,使高熔點金屬如鉻、鈦、鎢、鉬等的沉積成膜成為可能。鍍膜室直徑1400mm,高2200mm的大型鐘罩式濺射鍍膜機和長mm,寬7.6mm的大型串列式濺射鍍膜機已投入使用。最近,日本專利提出一種卷繞式濺射鍍膜機,該機可鍍兩種不向的鍍膜材料,并在濺射區和第二濺射區之間裝溫度控制裝置(),加強對基材的冷卻,保證在鍍膜層較厚和沉積速度較快的情況下,基材不會發生卷縮和變形。該裝置示意圖見圖1。真空室(1)裝有濺射靶(4a,4b)和陽極(14a,14b),兩個靶分別與直流電源(5a,5b)相接,對塑料薄膜(8)進行濺射。輥筒(11a,11b,11c))有各自的冷卻溫度。