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濺射工藝監控器(SPM)離子源在該離子源中，形成區域(7)與工藝室直接相連。分析儀配備了小型分子泵站(1)，該泵站也將陰極空間(5)抽空至大約10-5hPa。電子通過小孔從低壓側射入形成區域(7)，以便電...
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如果要測量極其小的離子電流或需要極其高的測量速度，則使用物理前置放大器，即所謂的二次電子倍增器。圖6.16：二次電子倍增器(SEM)二次電子倍增器(SEM)Figure6.16顯示了此類倍增器（SEM=二次電...
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真空泵油是一種潤滑油，真空泵油有分礦物油和合成油兩種，真空泵油是為真空設備上的真空泵所設計生產的特種潤滑油。性能特征一、真空泵油具有極佳的氧化穩定性，長期在高溫條件下與空氣、樹脂、...
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C-SEM（Figure6.17）由內部涂有導電層的玻璃管組成，該導電層具有高電阻和低功函數。給該導電層施加高壓，以使整個管長度獲得均勻電壓梯度。四級桿系統的離子按確定路徑被發送到轉換倍增器電極，...
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離子必須能夠穿過四級桿過濾器，而不與中性氣體粒子碰撞。在壓力p<10-4hPa時獲得的平均路徑長度是操作四級桿質譜儀所必需的。這需要具有壓力監測功能的合適泵站。為進行具有z*佳靈敏度的氣體...
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待分析的氣體通常必須從大氣氣壓下降到低于質譜儀(MS)工作壓力的壓力。由質譜儀監測的許多真空技術工藝發生在p>10-4hPa的壓力范圍內。因此，四級桿質譜儀的基本要素是根據特殊的應用配備合適...
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普發真空提供兩種基本的質譜儀型號：■緊湊型PrismaPlus，具有6mm直徑的桿系統，長度為100mm。■高分辨率HiQuad，質量過濾器直徑為8mm和16mm，長度為300mm。PrismaPlus這是一個緊湊型設備，其整個...
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模塊是特殊的過程監控或氣體分析設備，其配備了各種進氣系統并連接到用于排空分析儀的空運行渦輪拖式泵站：■HPA220高壓分析儀，基于PrismaPlus。過程壓力可達50hPa，提供手動和自動進氣系統■S...
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普發真空離子源的電勢曲線如Figure6.20所示。加熱電子發射陰極具有大約20V的電勢。維納爾電極通常被連接至陰極的正極，并防止電子在離子源附近散射。陽極電勢V2為80V的有效金屬絲使電子減速進...
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在許多四極桿質譜儀中，陰極接地，甚至有負電勢。陰極（金屬絲）使發射的電子加速到形成區域（陽極），它們在這里電離中性氣體粒子，這些電離了的粒子之后被抽出到質量過濾器。在這樣的磁場條件下，但...
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場軸技術在離子源中形成的離子以高動能向質量過濾器加速。因此，離子不會受到周邊或RF邊緣場的影響，并z*初以高能量向質量過濾器移動。將離子射入四級場的理想條件以該方式獲得，即使沒有前置過...
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二次電子倍增器的直角排列普發真空質譜儀的另一個優勢是二次電子倍增器(SEM)的排列，其相對于過濾器軸偏移90°（90度離軸SEM，圖6.21）。如果SEM被布置在軸方向，在質量過濾器后，所有碰撞粒子（...
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為每個撞擊轉換倍增極離子創造的二次電子數量取決于離子質量、能量與類型（原子或分子離子）。轉換率與質量有關。這種影響被稱為質量甄別，使用離散設計的SEM沒有使用C-SEM的效果明顯。在離子撞...
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四級桿質譜儀在短時間內提供了適合在PC上顯示和儲存的大量信息。這就是為什么普發真空質譜儀上的電氣控制裝置只具有基本控制和顯示元件。QUADERA?軟件用于控制目的以及在PC上顯示、分析及保...
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在無損測試中，泄漏被定義為孔、多孔區域、氣體能滲透區域或測試樣品壁中不同的結構，氣體因壓力或濃度不同可以通過壁的一側逸出到另一側。[33]用更簡單的術語表示，漏點即一個個的小孔，氣體或...
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