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機械設備
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HL-2A托卡馬克真空系統由真空室和真空抽氣系統組成。真空室采用原ASDEX裝置具有“D”形截面的兩個“半環”真空室組合而成。連結處墊有聚酰亞胺絕緣板，實現電絕緣和真空密封。偏濾器室為真空...
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真空系統烘烤運行涉及三部分的內容；真空抽氣系統運行、真空室本體溫度及熱變形測量及其水系統閥門控制、水循環系統及電加熱器的運行控制及測量。各部分有相對的獨立性，但也有關聯性。s*先烘烤水系統的升溫、恒溫...
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活套法蘭連接這是閥門中用得z*多的連接形式。按結合面形狀又可分為以下幾種：1）光滑式：用于壓力不高的閥門。加工比較方便。2）凹凸式：工作壓力較高，可使用中硬墊圈。3）榫槽式：可用塑性變形較大的墊圈，在腐蝕性介質...
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在受控核聚變實驗中，等離子體雜質通常由于等離子體與壁的相互作用而產生，而雜質輻射等離子體能量對聚變實驗是十分有害的。由于雜質輻射的能量隨著等離子體有效電荷數的增大而急劇增大，所以必須盡可能地降低金屬雜...
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核電站是解決世界能源z*現實的途徑之一。從1954年世界上座核電站建成以來，核電站發展很快，特別是進入20世紀70年代，核電站發展速度更快了。到1984年底，全世界有344座核電站在運行，總裝機容量超過2億kW，正在建造中...
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輕水堆普遍采用低濃度（鈾235濃度2%～3%）的二氧化鈾陶瓷燃料；重水堆采用加濃的二氧化鈾陶瓷燃料。軸235只占天然鈾的0.71%，所以核電燃料生產的步是將鈾235從鈾中分離出來并加以濃縮。世界上已實現工業應用的w*大規模...
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核電站是個龐大、復雜的系統，有上萬件設備，品種繁多，它們共同的特點是必須在強輻射環境中長期可靠地工作。核電設備制造過程中應用真空技術的主要有：燃料元件和控制棒的制造，設備制造過程中的真空檢漏，核電設備中...
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真空膜中膜兩側的壓力差是膜傳質推動力的一個標志，因此對真空膜蒸餾過程中真空度的影響進行了模擬研究。模型中采用以5.0為一個區間進行分段，對各種不同濃度的鹽水在不同溫度下的飽和蒸汽壓進行擬合。在程序中，用...
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核電站主回路系統大部分工作在高溫高壓狀態，但也有處于真空狀態運行的，主要是壓力殼夾層、汽輪機冷凝器等。(1)壓力殼夾層現代大型壓力堆的壓力殼都是雙層的，為了增加安全性，近年來國外一些大型壓力堆電站，其壓力...
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核電站輔助系統應用的真空技術主要是真空凈化、真空除氣和真空精餾。冷卻劑質量控制系統：水作為壓力堆冷卻劑在主回路高溫高壓和強輻射場中流動，會發生一系列反應，并對材料產生腐蝕作用，所以水質控制是核電站運行...
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納米材料是20世紀80年代中期發展的具有全新結構的材料，是指由極細晶粒組成、特征維度尺寸為1nm—l00nm的單晶體或多晶體。由于極細的晶粒，以及大量處于晶界和晶粒內缺陷中心的原子具有的量子尺寸效應、小尺寸...
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納米半導體薄膜的制備技術很多。理論上任何能夠制備多晶或單晶半導體薄膜的技術都可以用于納米半導體薄膜的制備，但對相應的制備技術提出了更為嚴格的要求：①表面潔凈;②晶粒形狀及粒徑、粒度分布可控，防止粒子團...
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真空蒸發是制作納米半導體薄膜z*一般的物理方法。該法通常將真空室的極限真空抽到優于10-2Pa，然后采用加熱的方法將被蒸發物質蒸發后沉積在光滑的基片上，得到相應的納米半導體薄膜。真空蒸發沉積具有材料純度高、...
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濺射鍍膜技術在納米半導體薄膜的制備領域已經得到廣泛應用。較為典型的濺射技術有直流磁控濺射、射頻磁控濺射、離子束濺射以及電子回旋共振等離子體增加濺射等技術。已利用磁控濺射技術制備出不同調制波長的SiC/W...
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外延技術是一種制備納米半導體薄膜的新技術，采用該技術可以制備出結晶取向與襯底完全一致而且品格結構完整的納米半導體單晶薄膜。典型外延技術有氣相外延(VPE)、液相外延(LPE)和分子束外延(MBE)。近年來，金屬有機...
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