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化學氣相沉積是以化學反應方式制作薄膜。其原理是將含有制膜材料的反應氣體通到基片上，在基片上發生化學反應形成薄膜，對CVD薄膜生成過程，可以定性地歸結為反應氣體通到基片上后，反應氣體分子...
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(1)同種材料氬弧焊接頭結構屬于這類結構的有，真空管道和法蘭盤的連接、管道與管道的連接、波紋管和法蘭盤的連接、金屬.陶瓷封接件的翻邊與法蘭盤的連接等。所用材料一般為不銹鋼一不銹鋼、可...
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真空工藝中經常遇到不銹鋼一不銹鋼、可伐一可伐、無氧銅一無氧銅的氬弧焊。此外還有不銹鋼一可伐，不銹鋼一無氧銅、鈦、鎢、鉭等金屬材料的氬弧焊。常用的1Cr18Ni9Ti不銹鋼在氬弧焊時，遇到的...
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CVD原料一般應選擇常溫下是氣態的物質或具有較高蒸氣壓的液體或固體，原料有氫化物、鹵化物、有機金屬化合物等。表10-19給出了制備CVD薄膜原料及其反應生成物。
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CVD方法采用不同的反應方式可以制備出單質、化合物、氧化物和氮化物等各類薄膜。早期精制金屬時，采用氫還原及化學輸送反應。現在廣泛使用的反應方式有加熱分解、氧化、等離子體激發、光激發...
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釬焊是由高溫液態焊料填滿被釬焊的固態基金屬(釬接金屬或簡稱基金屬)間的間隙，使被釬焊金屬產生結合的一種工藝方法。與其它焊接方法比較，釬焊具有變形小、基金屬性能變化小、可同時完成多個...
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真空工藝用焊料的要求釬焊接頭的質量很大程度上取決于焊料的性能。對真空工藝用焊料的要求如下：①要有合適的熔點和流點。熔點是焊料開始熔化時的溫度，流點是焊料熔化終了時的溫度。通常焊料...
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圖10-26給出了低溫CVD裝置簡圖。在500℃以下制作絕緣薄膜，用于集成電路中鋁布線表面防護膜、線間絕緣膜。
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此種裝置成膜溫度為600℃~800℃，可以制作集成電路中的金屬膜、多晶硅膜以及各種絕緣膜。此種裝置原理圖如圖10-27所示。
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圖10-28給出了外延生長硅單晶膜CVD裝置簡圖。此裝置在高溫下，在硅基片上外延生長硅單晶膜。可制作出均勻膜層，膜層厚度1μm~2μm。
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此裝置簡圖如圖10-29所示。裝置采用射頻感應加熱，反應在基片與感應體附近發生，管壁沉積很少，硅膜生長速率為1μm/min—3μm/min。
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此裝置原理圖如圖10-30所示。采用高頻加熱，溫度可達1300℃—1800℃，膜生長速率為0.2μm/min～1.0μm/min。
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用CVD方法制作金屬薄膜，幾乎適用手所有的金屬，但一般低熔點金屬不必用CVD方法制膜，用蒸鍍和離子鍍方法可以得到優質薄膜。CVD制金屬膜，僅用于制作熔點高、硬度大的膜，如Ta、Mo、W、Re等金屬膜...
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減壓CVD法可制備Si02膜、PSG(硅酸磷玻璃)膜、BSG(硅酸硼玻璃)膜、AsSG(硅酸砷玻璃)膜、Si3H4膜及Al203等絕緣膜。主要用于半導體器件制造上。表10-20給出了絕緣膜種類、制作方法及用途。圖10...
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①純銀焊料。這種焊料可釬焊鎳、可伐等。純銀焊料的純度應≥99.99%。其熔、流點均為960.5℃。②銀銅焊料。z*常用的是AgCu28和AgCu50兩種。AgCu28是銀銅共晶合金，熔點和流點相同，均為779℃，...
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