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等離子體化學氣相沉積有兩種：一是等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)，二是等離子體化學氣相沉積(PCVD)它們都是20世紀70年代發展起來的工藝。其特點是：①低溫成膜，溫度對基片影響小，避免了高溫...
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PCVD等離子體在激發電力的輸入方式上有外部感應耦合方式和內部感應耦合方式；從生產過程來講，有批量式的，半連續式的和連續式的幾種，下面分別加以介紹。(1)外部感應耦合方式①批量式PCVD裝置。...
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真空鍍膜設備型號編制方法：
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表10-23給出了各種化合物薄膜形成方式，成膜條件、膜的特點及用途。
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釬焊接頭的結構(1)釬焊接頭的結構設計原則①要正確選擇釬焊接頭釬焊面結構，以保證真空零部件的氣密性、導電性及導熱性等要求。②從結構設計上限制焊料的流失，使焊料充滿焊縫。③焊縫部位在冷...
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管狀零件釬焊結構，如圖15-3所示。薄壁管和法蘭盤的釬焊結構，如圖15-4所示。其中(a)、(b)為單邊焊料槽的釬焊結構形式，其加工簡單，但焊料流失可能性大;(c)為雙邊焊料槽，它的加工較復雜，但焊料...
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本標準適于壓力在10-4Pa—10-3Pa范圍內蒸發類、濺射類、離子鍍類真空鍍膜設備（以下簡稱設備）。(1)設備主要技術參數設備的主要技術參數見表10-27。(2)極限壓力的測定①試驗條件：a．鍍膜室...
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(1)適用范圍本標準適用于極限壓力在7×10-3Pa—7×10-4Pa范圍的真空蒸發鍍膜設備（以下簡稱設備）。(2)型式與基本參數設備主要由鍍膜室、真空機組、保護裝置及電氣控制裝置組成...
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(1)釬焊規范的選擇釬焊規范為升溫速度、釬焊溫度、釬焊保溫時間及降溫速度等。升溫速度主要取決于基體金屬的性能和零件的大小和形狀。對于大而復雜、有陶瓷封接件和導熱率低的零件，升溫速率...
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1.概述電子束焊的工作原理是：在真空條件下，從電子槍發射的電子束在高電壓(通常為20kV—300kV)加速下，通過電磁透鏡聚焦成高能量密度的電子柬，當電子束轟擊工件時，電子的動能轉化為熱能區...
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本標準適用于壓力在1×10-4Pa—5×10-1Pa范圍的真空濺射鍍膜設備（以下簡稱設備）。(1)型號與基本參數設備的型號應符合JB／T7673_95的規定。設備的基本參數應符合表10-29的規定...
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(1)適用范圍本標準適用于壓力在10-4Pa—10-3Pa范圍的真空離子鍍膜設備（以下簡稱設備），具體包括如下類型：多弧離子鍍、電弧放電型真空離子鍍、空心陰極離子鍍(HCD)、射頻離子鍍(RFIP)、直...
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我國真空鍍膜設備研制始于20世紀50年代，當時研制了各種蒸發式真空鍍膜設備，滿足了光學事業發展需要。進入上世紀70年代以后，由于國民經濟各種領域的需求，各類真空鍍膜設備得到了長足的發展。...
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我國真空鍍膜設備研制始于20世紀50年代，當時研制了各種蒸發式真空鍍膜設備，滿足了光學事業發展需要。進入上世紀70年代以后，由于國民經濟各種領域的需求，各類真空鍍膜設備得到了長足的發展。...
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分子束外延(簡稱MBE)技術是20世紀70年代國際上迅速發展起來的一項技術。它是在真空蒸發工藝基礎上發展起來的一種外延生長單晶薄膜的方法。1969年對分子束外延進行研究主要為美國的貝爾實驗室...
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