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該設備主要是由清潔的全無油超高真空系統，外延生長和控制系統及監測分析儀器等部分組成。其結構簡圖如圖10-36所示。設備的真空室是由直徑為450mm，不銹鋼材料制成的圓筒，其周圍需開大小不同...
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根據分子束外延設備對真空的要求，需達到10-8Pa的超高真空環境，圖10-36中設備真空系統組成如下：1．前級真空排氣系統前級真空排氣系統是由兩個分子篩吸附泵對該設備整機排氣，從大氣開始排氣抽到...
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分子束外延設備是在超高真空條件下，一個或多個熱分子束與晶體表面起反應而外延生長超薄單晶膜的綜合性設備。為了獲得性能良好的超薄單晶膜，應避免在生長過程中襯底表面及熱分子束受到污染，這...
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離子束刻蝕的基本原理是利用離子束轟擊固體表面生產的濺射現象來剝離加工幾何圖形的。一般由真空室、離子源、工作臺、快門、真空抽氣系統、供氣系統、水冷系統、電源和電氣系統等主要部分組...
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在MBE中對口徑200mm超高真空氟橡膠插板閥，分子束源系統以及樣品傳遞結構系統等主要部件要很好地考慮其清潔真空問題。1．分子束源系統分子束源系統是MBE中的核心部件，該部件共有六個分子束爐，...
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離子束刻蝕設備的主要性能一般包括：整機特性、離子源特性、真空系統性能、工件臺性能。控制系統特性等。表10-36給出了蘭州物理研究所生產的LSK型、DSI型、RIBE型離子束刻蝕設備主要技術性能...
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離子束刻蝕技術是從20世紀70年代起隨著固體器件向亞微米級線寬方向發展而興起的一種超精細加工技術，它是利用離子束轟擊固體表面時發生濺射效應來剝離加工器件上所需要的幾何圖形的。離子束刻...
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離子束刻蝕設備一般采取臥式結構（也有立式結構）。臥式結構離子束水平方向噴射，刻蝕的濺射物大部分落在真空室底部，能減少濺射材料的重新沉積。立式結構相反，刻蝕質量難以保證。刻蝕設備的真空...
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離子源采用磁鐵軸向發散磁場結構的考夫曼(Kaufman)型離子源。圓筒形陽極直徑為150mm；鉭絲陰極直徑為0.4mm，長度為130mm，繞成內徑約2mm的單螺旋形；鉭絲中和器直徑為0.4mm，長度70mm；多孔鉬制屏...
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供氣系統分氬氣（工質氣體）和氧氣（輔助氣體）兩套系統。在氬氣中混入一定比例的氧氣，可以防止一些晶體（如鈮酸鋰）表面缺氧而導致性能變化。LSK-3型離子束刻蝕機的供氣系統分手控和自控兩路。手...
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工件臺是裝卡刻蝕工件用的。由于被刻蝕的工件種類和要求不同，所以工件臺的種類亦不同。一般為平移和旋轉兩種工件臺；按水冷方式又分為直接水冷和間接水冷兩種。圖10-40給出了一維平移工件臺結...
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快門是用來隔斷離子束通向工件臺的通路的，目的是便于在刻蝕前檢測束流密度和束的中和情況。從放電開始引出束流到束流穩定往往需要幾分鐘的時間。在離子束穩定后才打開門進行刻蝕并同步計時，...
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真空系統由臥式真空室、200高真空插板閥、200單百葉窗式水冷障板，K-200T油擴散泵、儲氣罐、三通閥、電磁帶放氣真空截止閥、2XZ-8型高速旋片式機械泵。電磁放氣閥、真空管道及真空檢測系統(Z...
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(1)離子源離子引出計算考夫曼離了源的工質多用惰性氣體氬，壓力為10-1Pa—10-2Pa。當陰極燈絲加熱至白熾狀態能發射電子時，陽極上加幾十伏的正電壓則得到氬氣的輝光放電，從放電產生的等離...
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水冷系統是用來冷卻離子源、工件臺、水冷障板、油擴散泵等部件的，一般由四個截止閥、水壓繼電器和管路組成。水壓繼電器當停水和水壓過低時能自動切斷電源，由斷水警報器及時發出音響，給予報警...
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