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機械設備
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1973年日本村山洋研制成了射頻放電離子鍍(RFIP)裝置，其原理圖如圖10-22所示。此裝置真空度為10-1Pa~10-2Pa，蒸鍍物質原子離化度為10%，加熱用的頻率線圈高7cm，用3銅絲繞制，共7圈。射頻源頻率為13.56MHz或18MHz，功...
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真空電弧離子鍍是由美國Multi-Arc公司和Vac-Tec公司聯合開發的，1981年達到工業實用化階段。電弧離子鍍的原理是基于冷陰極真空弧光放電理論提出的。該理論認為放電過程的電量遷移是借助于場電子發射和正離子電流這...
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多弧離子鍍技術的核心是電弧蒸發源，這種新型蒸發源是一種冷陰極電弧放電型自蒸發自離化式固體蒸發源，它與其它傳統離子鍍蒸發源相比具有以下顯著特點：①沉積速率高，對TiN來說可達100nm/s～1000nm/s;②離化率高，一般...
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基于離子鍍沉積速度快，鍍材廣泛，繞射性好，鍍層質密，附著性好等特點，其應用日趨廣泛，將來有可能代替濕式電鍍。離子鍍應用領域見表10-14。
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(1)可伐的清洗①酸洗液配方：硝酸10%，鹽酸10%，去離子水80%。②鉻酸液配方：鉻酐100g，硫酸30mL，去離子水1000mL(此配方用于可伐、無氧銅、鉬去氧化膜)。③清洗過程(以先后為序)：去油后浸入70℃～80℃酸洗液中，時間2min...
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氬弧焊是氣電焊的一種，它是以氬氣作為保護氣體的電弧焊。由于焊縫受到氬氣的保護，所以焊縫質量比較高，同時又由于熱源集中，所以焊接時的熱影響區小，工件變形小，保證了工件的氣密性和機械強度。此法適用于焊接高強...
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化學氣相沉積裝置主要包含四部分，即反應室、加熱系統、供反應氣體系統、反應后氣體處理系統。反應室設計時s*要問題是保證薄膜的均勻性。因化學反應在基片上發生，因而還需注意：①應為反應提供充足的氣體；②抑制氣...
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化學氣相沉積是以化學反應方式制作薄膜。其原理是將含有制膜材料的反應氣體通到基片上，在基片上發生化學反應形成薄膜，對CVD薄膜生成過程，可以定性地歸結為反應氣體通到基片上后，反應氣體分子被基片表面吸附，并在...
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(1)同種材料氬弧焊接頭結構屬于這類結構的有，真空管道和法蘭盤的連接、管道與管道的連接、波紋管和法蘭盤的連接、金屬.陶瓷封接件的翻邊與法蘭盤的連接等。所用材料一般為不銹鋼一不銹鋼、可伐一可伐。為了保證接...
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真空工藝中經常遇到不銹鋼一不銹鋼、可伐一可伐、無氧銅一無氧銅的氬弧焊。此外還有不銹鋼一可伐，不銹鋼一無氧銅、鈦、鎢、鉭等金屬材料的氬弧焊。常用的1Cr18Ni9Ti不銹鋼在氬弧焊時，遇到的主要問題是熱狀態下的...
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CVD原料一般應選擇常溫下是氣態的物質或具有較高蒸氣壓的液體或固體，原料有氫化物、鹵化物、有機金屬化合物等。表10-19給出了制備CVD薄膜原料及其反應生成物。
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CVD方法采用不同的反應方式可以制備出單質、化合物、氧化物和氮化物等各類薄膜。早期精制金屬時，采用氫還原及化學輸送反應。現在廣泛使用的反應方式有加熱分解、氧化、等離子體激發、光激發等。各種反應方式及生...
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釬焊是由高溫液態焊料填滿被釬焊的固態基金屬(釬接金屬或簡稱基金屬)間的間隙，使被釬焊金屬產生結合的一種工藝方法。與其它焊接方法比較，釬焊具有變形小、基金屬性能變化小、可同時完成多個零件的連接、并可連接...
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真空工藝用焊料的要求釬焊接頭的質量很大程度上取決于焊料的性能。對真空工藝用焊料的要求如下：①要有合適的熔點和流點。熔點是焊料開始熔化時的溫度，流點是焊料熔化終了時的溫度。通常焊料的流點應比被焊金屬熔...
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圖10-26給出了低溫CVD裝置簡圖。在500℃以下制作絕緣薄膜，用于集成電路中鋁布線表面防護膜、線間絕緣膜。
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