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機械設備
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(1)釬焊規范的選擇釬焊規范為升溫速度、釬焊溫度、釬焊保溫時間及降溫速度等。升溫速度主要取決于基體金屬的性能和零件的大小和形狀。對于大而復雜、有陶瓷封接件和導熱率低的零件，升溫速率要慢一些，盡量使零件各...
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1.概述電子束焊的工作原理是：在真空條件下，從電子槍發射的電子束在高電壓(通常為20kV—300kV)加速下，通過電磁透鏡聚焦成高能量密度的電子柬，當電子束轟擊工件時，電子的動能轉化為熱能區的局部溫度驟升到6000...
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本標準適用于壓力在1×10-4Pa—5×10-1Pa范圍的真空濺射鍍膜設備（以下簡稱設備）。(1)型號與基本參數設備的型號應符合JB／T7673_95的規定。設備的基本參數應符合表10-29的規定。(2)極限壓力①試驗條...
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(1)適用范圍本標準適用于壓力在10-4Pa—10-3Pa范圍的真空離子鍍膜設備（以下簡稱設備），具體包括如下類型：多弧離子鍍、電弧放電型真空離子鍍、空心陰極離子鍍(HCD)、射頻離子鍍(RFIP)、直流放電二極型(DCIP)、...
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我國真空鍍膜設備研制始于20世紀50年代，當時研制了各種蒸發式真空鍍膜設備，滿足了光學事業發展需要。進入上世紀70年代以后，由于國民經濟各種領域的需求，各類真空鍍膜設備得到了長足的發展。目前各類鍍膜設備基本...
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我國真空鍍膜設備研制始于20世紀50年代，當時研制了各種蒸發式真空鍍膜設備，滿足了光學事業發展需要。進入上世紀70年代以后，由于國民經濟各種領域的需求，各類真空鍍膜設備得到了長足的發展。目前各類鍍膜設備基本...
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分子束外延(簡稱MBE)技術是20世紀70年代國際上迅速發展起來的一項技術。它是在真空蒸發工藝基礎上發展起來的一種外延生長單晶薄膜的方法。1969年對分子束外延進行研究主要為美國的貝爾實驗室和IBM兩家，另外英國和...
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該設備主要是由清潔的全無油超高真空系統，外延生長和控制系統及監測分析儀器等部分組成。其結構簡圖如圖10-36所示。設備的真空室是由直徑為450mm，不銹鋼材料制成的圓筒，其周圍需開大小不同的20余個法蘭，用以配置...
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根據分子束外延設備對真空的要求，需達到10-8Pa的超高真空環境，圖10-36中設備真空系統組成如下：1．前級真空排氣系統前級真空排氣系統是由兩個分子篩吸附泵對該設備整機排氣，從大氣開始排氣抽到離子泵開始啟動(約10...
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分子束外延設備是在超高真空條件下，一個或多個熱分子束與晶體表面起反應而外延生長超薄單晶膜的綜合性設備。為了獲得性能良好的超薄單晶膜，應避免在生長過程中襯底表面及熱分子束受到污染，這就要求在清潔的超高真...
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離子束刻蝕的基本原理是利用離子束轟擊固體表面生產的濺射現象來剝離加工幾何圖形的。一般由真空室、離子源、工作臺、快門、真空抽氣系統、供氣系統、水冷系統、電源和電氣系統等主要部分組成。圖10-38為離了束刻...
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在MBE中對口徑200mm超高真空氟橡膠插板閥，分子束源系統以及樣品傳遞結構系統等主要部件要很好地考慮其清潔真空問題。1．分子束源系統分子束源系統是MBE中的核心部件，該部件共有六個分子束爐，該爐用石墨制成，有爐絲...
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離子束刻蝕設備的主要性能一般包括：整機特性、離子源特性、真空系統性能、工件臺性能。控制系統特性等。表10-36給出了蘭州物理研究所生產的LSK型、DSI型、RIBE型離子束刻蝕設備主要技術性能。
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離子束刻蝕技術是從20世紀70年代起隨著固體器件向亞微米級線寬方向發展而興起的一種超精細加工技術，它是利用離子束轟擊固體表面時發生濺射效應來剝離加工器件上所需要的幾何圖形的。離子束刻蝕這種工藝與機械加工...
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離子束刻蝕設備一般采取臥式結構（也有立式結構）。臥式結構離子束水平方向噴射，刻蝕的濺射物大部分落在真空室底部，能減少濺射材料的重新沉積。立式結構相反，刻蝕質量難以保證。刻蝕設備的真空室一般采用圓筒形結構...
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