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機械設備
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此種裝置成膜溫度為600℃~800℃，可以制作集成電路中的金屬膜、多晶硅膜以及各種絕緣膜。此種裝置原理圖如圖10-27所示。
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圖10-28給出了外延生長硅單晶膜CVD裝置簡圖。此裝置在高溫下，在硅基片上外延生長硅單晶膜。可制作出均勻膜層，膜層厚度1μm~2μm。
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此裝置簡圖如圖10-29所示。裝置采用射頻感應加熱，反應在基片與感應體附近發生，管壁沉積很少，硅膜生長速率為1μm/min—3μm/min。
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此裝置原理圖如圖10-30所示。采用高頻加熱，溫度可達1300℃—1800℃，膜生長速率為0.2μm/min～1.0μm/min。
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用CVD方法制作金屬薄膜，幾乎適用手所有的金屬，但一般低熔點金屬不必用CVD方法制膜，用蒸鍍和離子鍍方法可以得到優質薄膜。CVD制金屬膜，僅用于制作熔點高、硬度大的膜，如Ta、Mo、W、Re等金屬膜。用CVD法還可以制作...
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減壓CVD法可制備Si02膜、PSG(硅酸磷玻璃)膜、BSG(硅酸硼玻璃)膜、AsSG(硅酸砷玻璃)膜、Si3H4膜及Al203等絕緣膜。主要用于半導體器件制造上。表10-20給出了絕緣膜種類、制作方法及用途。圖10-31為熱壁反應室結構簡...
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①純銀焊料。這種焊料可釬焊鎳、可伐等。純銀焊料的純度應≥99.99%。其熔、流點均為960.5℃。②銀銅焊料。z*常用的是AgCu28和AgCu50兩種。AgCu28是銀銅共晶合金，熔點和流點相同，均為779℃，可用來釬焊銅、鎳、鉬...
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等離子體化學氣相沉積有兩種：一是等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)，二是等離子體化學氣相沉積(PCVD)它們都是20世紀70年代發展起來的工藝。其特點是：①低溫成膜，溫度對基片影響小，避免了高溫成膜的晶粒粗大及膜層...
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PCVD等離子體在激發電力的輸入方式上有外部感應耦合方式和內部感應耦合方式；從生產過程來講，有批量式的，半連續式的和連續式的幾種，下面分別加以介紹。(1)外部感應耦合方式①批量式PCVD裝置。在石英管的外側繞上高...
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真空鍍膜設備型號編制方法：
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表10-23給出了各種化合物薄膜形成方式，成膜條件、膜的特點及用途。
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釬焊接頭的結構(1)釬焊接頭的結構設計原則①要正確選擇釬焊接頭釬焊面結構，以保證真空零部件的氣密性、導電性及導熱性等要求。②從結構設計上限制焊料的流失，使焊料充滿焊縫。③焊縫部位在冷卻后希望獲得壓應力，...
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管狀零件釬焊結構，如圖15-3所示。薄壁管和法蘭盤的釬焊結構，如圖15-4所示。其中(a)、(b)為單邊焊料槽的釬焊結構形式，其加工簡單，但焊料流失可能性大;(c)為雙邊焊料槽，它的加工較復雜，但焊料不易流失;(d)、(e)為較...
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本標準適于壓力在10-4Pa—10-3Pa范圍內蒸發類、濺射類、離子鍍類真空鍍膜設備（以下簡稱設備）。(1)設備主要技術參數設備的主要技術參數見表10-27。(2)極限壓力的測定①試驗條件：a．鍍膜室內為空載（即不安放被...
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(1)適用范圍本標準適用于極限壓力在7×10-3Pa—7×10-4Pa范圍的真空蒸發鍍膜設備（以下簡稱設備）。(2)型式與基本參數設備主要由鍍膜室、真空機組、保護裝置及電氣控制裝置組成。設備的基本參數應符...
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