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離子束刻蝕結構特點—離子源
離子源采用磁鐵軸向發散磁場結構的考夫曼(Kaufman)型離子源。圓筒形陽極直徑為150mm;鉭絲陰極直徑為0.4mm,長度為130mm,繞成內徑約2mm的單螺旋形;鉭絲中和器直徑為0.4mm,長度70mm;多孔鉬制屏柵極和加速極開扎區直...
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離子束刻蝕結構特點—供氣系統
供氣系統分氬氣(工質氣體)和氧氣(輔助氣體)兩套系統。在氬氣中混入一定比例的氧氣,可以防止一些晶體(如鈮酸鋰)表面缺氧而導致性能變化。LSK-3型離子束刻蝕機的供氣系統分手控和自控兩路。手控系統由流量微調真空...
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離子束刻蝕結構特點—工件臺
工件臺是裝卡刻蝕工件用的。由于被刻蝕的工件種類和要求不同,所以工件臺的種類亦不同。一般為平移和旋轉兩種工件臺;按水冷方式又分為直接水冷和間接水冷兩種。圖10-40給出了一維平移工件臺結構原理圖;圖10-41給出...
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離子束刻蝕結構特點—快門
快門是用來隔斷離子束通向工件臺的通路的,目的是便于在刻蝕前檢測束流密度和束的中和情況。從放電開始引出束流到束流穩定往往需要幾分鐘的時間。在離子束穩定后才打開門進行刻蝕并同步計時,故刻蝕的時間可以用開...
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離子束刻蝕結構特點—真空系統
真空系統由臥式真空室、200高真空插板閥、200單百葉窗式水冷障板,K-200T油擴散泵、儲氣罐、三通閥、電磁帶放氣真空截止閥、2XZ-8型高速旋片式機械泵。電磁放氣閥、真空管道及真空檢測系統(ZRC-1J電阻磁放電復合真...
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真空裝置:離子源的設計
(1)離子源離子引出計算考夫曼離了源的工質多用惰性氣體氬,壓力為10-1Pa—10-2Pa。當陰極燈絲加熱至白熾狀態能發射電子時,陽極上加幾十伏的正電壓則得到氬氣的輝光放電,從放電產生的等離子體中提取準直、均勻...
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離子束刻蝕結構特點—水冷系統
水冷系統是用來冷卻離子源、工件臺、水冷障板、油擴散泵等部件的,一般由四個截止閥、水壓繼電器和管路組成。水壓繼電器當停水和水壓過低時能自動切斷電源,由斷水警報器及時發出音響,給予報警,以保護設備不致燒壞...
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真空系統的設計計算
真空是進行離子束刻蝕的必要條件,它的性能好壞直接影響著整機性能。良好的真空系統取決于合理的真空系統理論設計和計算。通過計算主要解決兩個基本問題:一是根據該設備產生的氣體量、極限真空、工作壓力及抽氣時...
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離子束刻蝕設備的離子源電源
離子源電源由陰極、陽極、屏柵極、加速極和中和器電源等五部分組成。其技術指標見表10-37。離子源電源的特點是:①五種電源在主電路上均采用同一類型的變壓器原端可控硅調整的穩壓方案。陰極和中和器電源由變壓器...
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離子束刻蝕:主機電控系統
離子束刻蝕的主機電控系統由控制變壓器、壓力繼電器、熱繼電器、半導體時間繼電器、中間繼電器、交流接觸器、螺旋式熔斷器、訊響器、開關、插座、信號燈等組成。位于主機機柜中,保證機械泵、擴散泵、電磁帶放氣真...
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離子束刻蝕:快門時間控制器
手電兩用四桿聯動的單葉片結構快門用在LSK-2型、LSK-3型離子束刻蝕設備上。該快門電磁線圈由固定的30V電源驅動。快門動作方向由繼電器J3和J4的觸點進行切換而改變。由于快門的開和關動作要在幾秒鐘之內完成,加上...
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離子束刻蝕工藝:刻蝕速率
加工質量和加工效率是離了束刻蝕工藝的主要問題。加工效率以刻蝕速率為標志,加工質量則涉及到圖形輪廓、刻蝕精度、均勻性、重復性和表面損傷等問題。它們既取決于刻蝕設備(特別是離子源)的研制水平和掩膜技術,又...
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離子束刻蝕:整機自控系統
離子束刻蝕設備整機自動化是設備發展的方向。LSK-3型機實現了從開機到刻蝕終止全過程的自動化。整機程序自動控制的功能為:對刻蝕全過程14個受控量具有準確控制功能;對6個條件量具有判別、等待和分支處理功能。延...
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離子束刻蝕:計算機控制系統
實現工作一維深度加權刻蝕的離子束刻蝕設備,要用計算機控制系統。深度加權的刻蝕深度按照預先給定的曲線分布進行,由于離子束的強度是恒定的,離子源的位置也是固定的,而工件臺相對于離子源作一維平移,所以控制工件...
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幾何圖形刻蝕的均勻性重復性
整個樣品幾何圖形刻蝕的均勻性和可重復性,主要取決于離子源的性能和刻蝕面的形貌。著先要求離子源的工作參數穩定,特別是束離子能量和束流密度穩定,樣品的離子曝光區域的束流密度均勻。刻蝕面上的凸起和凹坑,會使...
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